導(dǎo) 本次給大家?guī)淼氖巧倥熬€協(xié)議同歸活動中協(xié)議控制中心的相關(guān)內(nèi)容介紹,協(xié)議控制中心是類似于研發(fā)系統(tǒng)的,其中包括脈沖反應(yīng)堆、戰(zhàn)術(shù)芯片研發(fā)臺、對稱灌輸驅(qū)動器等,主要是用于輔助人形升級的。 少女前線協(xié)議同歸...

本次給大家?guī)淼氖巧倥熬€協(xié)議同歸活動中協(xié)議控制中心的相關(guān)內(nèi)容介紹,協(xié)議控制中心是類似于研發(fā)系統(tǒng)的,其中包括脈沖反應(yīng)堆、戰(zhàn)術(shù)芯片研發(fā)臺、對稱灌輸驅(qū)動器等,主要是用于輔助人形升級的。

少女前線協(xié)議同歸協(xié)議控制中心

今天為大家介紹本次強更版本中登場的全新系統(tǒng):協(xié)議同歸系統(tǒng)!

指揮官可通過該系統(tǒng)收歸其他勢力的強大單位———融合勢力單位。融合勢力單位分為初始3星單位、初始2星單位和初始1星單位。

當(dāng)敵方勢力精英人形作為融合勢力單位收歸時,為初始3星單位,其他單位將根據(jù)強度劃分為初始2星單位和初始1星單位。所有單位均可通過以太開發(fā)提升至5星。

入口:

可以從據(jù)點和全局導(dǎo)航條進入?yún)f(xié)議控制中心

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設(shè)施介紹

脈沖反應(yīng)堆

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生產(chǎn)并儲存進行收歸行動所消耗的材料電子脈沖。脈沖反應(yīng)堆等級越高,電子脈沖的生產(chǎn)速度和存儲上限越高。

戰(zhàn)術(shù)芯片研發(fā)臺

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指揮官可以通過消耗電池和時間在戰(zhàn)術(shù)芯片研發(fā)臺進行戰(zhàn)術(shù)芯片的研發(fā),升級該設(shè)施可以解鎖更多的戰(zhàn)術(shù)芯片。戰(zhàn)術(shù)芯片一共分為3個類型:梯隊增益型、策略型、光環(huán)型。戰(zhàn)術(shù)芯片僅有初始3星單位可以裝備。初始3星單位收歸時擁有1個芯片組欄位,單位星級達到4星時即可額外解鎖一個芯片組欄位。初始3星單位可以在芯片組欄位中裝備戰(zhàn)術(shù)芯片為梯隊帶來特殊效果。

對稱灌輸驅(qū)動器

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進行認(rèn)知灌輸?shù)脑O(shè)施。在該設(shè)施中,融合勢力單位可通過消耗轉(zhuǎn)移觸媒完成數(shù)據(jù)交換,將一個單位的等級、星級、技能等級、解析度等級與另一個單位互換,這一過程即為認(rèn)知灌輸。

初始3星融合勢力單位無法進行認(rèn)知灌輸。

非初始3星的融合勢力單位,收歸時體型隨機,分為XS、S、M、L、XL五檔。體型值的大小關(guān)系到單位的成長率浮動,可以通過認(rèn)知灌輸實現(xiàn)不同體型單位的養(yǎng)成程度互換。

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